| 用途 | 用水指標 | 參考標準 |
| 單晶硅、多晶硅、太陽能電池、氧化鋁坩堝、光伏玻璃等生產(chǎn) | 電阻率15 ~18.25 M .CM | 我國電子級水質(zhì)技術(shù)指標，GB11446-1-1997美國半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標 |
| 單晶硅半導(dǎo)體集成電路塊，顯像管、玻殼、液晶顯示器等制造工業(yè) | 電阻率15 ~18.25 M .CM | 美國半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標我國電子級水質(zhì)技術(shù)指標，GB11446-1-1997 |
| 光學(xué)材料清洗用水、電子陶瓷行業(yè)用純水、尖端磁性材料用純水 | 電阻率10 ~17 M .CM | 我國電子級水質(zhì)技術(shù)指標，GB11446-1-1997美國半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標 |
| 蓄電池、鋰電池、鋅錳電池生產(chǎn) | 電阻率5 ~10 M .CM | 我國電子級水質(zhì)技術(shù)指標，GB11446-1-1997 |
| 有色金屬、貴金屬冶煉用水、納米級新材料生產(chǎn)用水、航空新材料生產(chǎn)用水、ITO導(dǎo)電玻璃制造用水、電子級無塵布生產(chǎn)用水 | 電阻率15 ~18.25 M .CM | 我國電子級水質(zhì)技術(shù)指標，GB11446-1-1997美國半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標 |
主要工藝流程和出水指標：※預(yù)處理 反滲透 離子交換器（電阻率 15M .CM）※預(yù)處理 二級反滲透 EDI（電阻率 15M .CM）※預(yù)處理 二級反滲透 脫氣膜 EDI 拋光混床（電阻率 18.25M .CM）詳細工藝需根據(jù)原水設(shè)計情況進行設(shè)計純水設(shè)備的主要特點
| ▼采用進口反滲透膜，脫鹽率高，使用壽命長，運行成本低廉，產(chǎn)水水質(zhì)高而穩(wěn)定； ▼在線水質(zhì)監(jiān)測控制，實時監(jiān)測水質(zhì)變化，保障水質(zhì)安全； ▼全自動電控程序，還可選配觸摸屏操作，使用方便，操作簡單、安全； ▼切合當?shù)厮|(zhì)的個性化設(shè)計，設(shè)想周到的堆疊式設(shè)計，占地面積小，全方位滿足需求。▼運行費用及維修成本低，全自動運行，實現(xiàn)無人化管理操作。 |
當前位置: 首頁 » 供應(yīng) » 機械及行業(yè)設(shè)備 » 環(huán)保設(shè)備 » 反滲透設(shè)備 » 供應(yīng)恒大HD-5000型反滲透純水設(shè)備 
點擊圖片查看原圖
