?140DAI45300
Quantum
開關(guān)量AC輸入,32點,48VAC,8點成組隔離
140DAI45300C Quantum 開關(guān)量AC輸入,32點,48VAC,8點成組隔離,CC?
140DAI54000 Quantum 開關(guān)量 AC 輸入, 16點, 115 VAC, 隔離?
140DAI54000C Quantum 開關(guān)量 AC 輸入, 16點, 115 VAC, 隔離, CC?
140DAI54300 Quantum 開關(guān)量AC輸入,16點,115VAC,8點成組隔離?
140DAI54300C當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號，
該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，
也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。
當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。
由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，
這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機(jī)中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時器8253的計數(shù)器1，
每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請求得到響應(yīng)時，
DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。
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