坩堝,加熱坩堝,坩堝窯爐,石墨坩堝具類技術(shù)資料(168元/全套)歡迎選購!請記住本套資料(光盤)售價:168元/全套);資料(光盤)編號:F311519敬告:我公司只提供技術(shù)資料,不能提供任何實物產(chǎn)品及設(shè)備,也不能提供生產(chǎn)銷售廠商信息。[534-0146-0001] 具有噴注坩堝致動器的注射模制機(jī) [摘要] 種用于注射模制機(jī)的噴注坩堝致動器具有兩個板件,其上攜有用于推低噴注坩堝內(nèi)的注射活塞的推桿。所述板件安裝在模具和夾緊裝置的外側(cè),推桿穿過夾緊裝置固定板內(nèi)的孔而抵達(dá)注射活塞。該致動器可降低模具設(shè)計和生產(chǎn)的成本和復(fù)雜性,并可簡化注射活塞行程的調(diào)節(jié)。 [534-0169-0002] 多功能醫(yī)用真空鑄鈦爐 [摘要] 本實用新型涉及一種多功能醫(yī)用真空鑄鈦爐,它屬于一種鑄造設(shè)備,它有爐體,真空室、坩堝、預(yù)熱爐、電極、閃頻裝置等組成。它克服了以往鑄造爐只有單一功能的缺點,把自耗、非自耗及等離子電子束三種加熱形式集中在一個爐子上,同時鑄型也可以在同一爐內(nèi)進(jìn)行加熱,從而擴(kuò)大了爐子的使用范圍。[534-0052-0003] 拉制多組分玻璃光纖的多孔雙坩堝拉絲系統(tǒng) 本發(fā)明涉及一種拉制多組分玻璃光纖的多孔雙坩堝拉絲系統(tǒng),屬于玻璃纖維制造技術(shù)領(lǐng)域。該系統(tǒng)由投料裝置、熔料裝置、控溫裝置和排繞裝置組成,熔料裝置底部裝有分別與兩個隔離腔體堝身連通的整體式同心雙管出料漏嘴;投料裝置中安置了與熔料裝置相同金屬材質(zhì)構(gòu)成的芯料預(yù)熔器和皮料預(yù)熔器,預(yù)熔器其上端為進(jìn)料口,下端為伸入熔料裝置的出液口;堝身內(nèi)或預(yù)熔器中固定有臺階狀排氣泡結(jié)構(gòu)。由于玻璃在進(jìn)入堝身前預(yù)先熔化,從而減少了雙坩堝內(nèi)玻璃液位和溫度的波動,保證了光纖絲徑的均勻性;而整體式同心雙管出料漏嘴和臺階狀排氣泡結(jié)構(gòu),則使得拉制的光纖絲皮層厚度均勻、透過率高。本發(fā)明以簡單巧妙的結(jié)構(gòu)改進(jìn),取得了顯著提高制品質(zhì)量的效果。[534-0139-0004] 一種二氧化碲單晶體的坩堝下降生長技術(shù) [摘要] 一種二氧化碲單晶體的坩堝下降法生長技術(shù),屬于晶體生長領(lǐng)域。其特征在于采用以粉末為原料直接裝堝入爐及在坩堝下降生長晶體的過程中持續(xù)升溫至1300℃~1400℃的方法,坩堝下降的速率為每小時0.6~1.0mm。本技術(shù)克服了背景技術(shù)中壓塊裝料、下降過程單一降溫技術(shù)導(dǎo)致的易穿漏、成品率低和晶體厚度小的缺點??缮L出厚度超過60mm、尺寸大于(60×60×60)mm的優(yōu)質(zhì)大單晶。穿漏率<1%,成品率提高。純度高(含Ur、Th達(dá)到1×10-12)、晶體透明(無氣泡,無包裹體,無裂紋),能滿足國際、國內(nèi)對大尺寸優(yōu)質(zhì)二氧化碲單晶體的需求。[534-0136-0005] 近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶的生長方法 [摘要] 一種近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶的生長方法,其特征在于該方法的實質(zhì)是采用坩堝下降法生長大尺寸近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶;原料浞街惺褂錳妓犸?Li2CO3)和碳酸鉀(K2CO3)和氧化鈮(Nb2O5)為原料,按照[Li2CO3]/[Nb2O5]=(48~58)∶(42~52)的比例配料,加入4.3~20.6wt%的K2CO3,壓制成塊,直接裝入坩堝中,坩堝密封,降低鈮酸鋰的熔點,提高原料中[Li]/[Nb]比例;從熔體底部結(jié)晶,固液界面自下而上移動生長晶體。利用本發(fā)明可以生長出高質(zhì)量大尺寸近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶。[534-0020-0006] 實時測量高溫熔體法生長晶體固/液界面層結(jié)構(gòu)的方法和高溫?zé)崤_ [摘要] 本發(fā)明公開了實時測量高溫熔體法生長晶體固/液界面層結(jié)構(gòu)的方法和高溫?zé)崤_,其特征在于是設(shè)計一種獨特結(jié)構(gòu)的高溫?zé)崤_,有自動升溫控溫系統(tǒng),冷卻水循環(huán)系統(tǒng),惰性氣體保護(hù)系統(tǒng),抽氣系統(tǒng),臺體內(nèi)有保溫介質(zhì),電加熱器具有橫向、縱向的溫度梯度。電加熱器上放置有鉑金坩堝,將被測樣品放在坩堝內(nèi)加熱,使用激光顯微高溫喇曼光譜技術(shù)通過高溫?zé)崤_的石英窗口,對生長中的晶體固/液界面層結(jié)構(gòu)進(jìn)行實時觀察和測量。[534-0157-0007] 氮化硅涂層坩堝 [摘要] 本實用新型是關(guān)于直拉單晶硅用的坩堝,其特點是在坩堝基體上涂敷了一層Si3N4涂層采用常壓化學(xué)氣相淀積法制備。坩堝基體材料既可是石英(SiO2)玻璃,也可是石墨。Si3N4具有優(yōu)良的物理
機(jī)械性能,并不與熔硅起反應(yīng),它把熔硅和石英隔開,避免了熔硅對石英坩堝內(nèi)壁的侵蝕,達(dá)到降低單晶硅雜質(zhì)含量的目的。[534-0166-0008] 低壓比例調(diào)節(jié)燃油燒嘴 [摘要] 一種用于黑色,有色金屬壓力加工加熱爐、坩堝熔煉爐、瓷器焙燒爐、蒸氣鍋爐等燃油爐用的燒嘴。本燒嘴進(jìn)風(fēng)口設(shè)計在風(fēng)嘴前,進(jìn)入軸線與噴出方向為180°,當(dāng)必須采用90°進(jìn)風(fēng)時,可調(diào)換90°彎頭風(fēng)口,這樣可減少風(fēng)壓損失,提高燒嘴的燒油能力。油芯管采用帶有導(dǎo)風(fēng)槽的形式,油嘴噴油孔為多個,這種結(jié)構(gòu)可使燃油更有效地燃燒。達(dá)到節(jié)油節(jié)電的目的。[534-0013-0009] 焊接裝置和方法 [摘要] 本發(fā)明公開了一種焊接裝置和方法,即一種放熱焊接裝置采用多層可壓縮的一次性耐火襯墊和墊片,以形成一個用于待焊接部件的焊腔。需要焊接的部件與墊片分層排列在一底座和一坩堝壓板之間,而坩堝壓板由一個夾具來支承。這種分層排列的墊片設(shè)置有多個與需要焊接的部件相交的孔。這些孔形成了焊腔。坩堝壓板設(shè)置有一個用于容納放熱材料的腔體,當(dāng)放熱材料被點燃時,能夠形成通過一漏孔流入焊腔內(nèi)的熔融金屬。當(dāng)焊縫形成時,打開夾具并扔掉墊片。本發(fā)明還涉及一種形成焊接連接的方法,該方法通過擠壓分層排列的墊片和待焊接部件形成一次性焊腔,從而簡化焊接裝置并降低其成本,這樣無需使用大量成本較高的特殊耐火模具部件就能夠形成多種連接。[534-0094-0010] 用于拉制玻璃纖維的坩堝 [摘要] 本發(fā)明涉及一種用于拉制玻璃纖維的坩堝及其應(yīng)用。該坩堝由選自鉑、鉑-銥合金、鉑-釕合金和鉑-銠合金中的至少兩種不同金屬材料制成,這樣(a)側(cè)壁由鉑或鉑-銥合金或鉑-釕合金或鉑-銠合金制成,(b)噴絲頭由鉑或鉑-銠合金制成,(c)電源接線由鉑或鉑-銠合金制成,和(d)漏板由鉑或鉑-銥合金或鉑-釕合金或鉑-銠合金制成,并且這樣,如果側(cè)壁和漏板由鉑-銥或鉑-釕合金制成,那么它們至少在它們的外表面上有鉑或鉑-銠合金的包覆層。[534-0021-0011] 灰的熔化裝置[534-0119-0012] 生長高溫氧化物晶體用組合式坩堝[534-0112-0013] 六鈦酸鉀晶須的制備方法[534-0055-0014] 由多孔性硅石玻璃坯體制造具有結(jié)晶區(qū)的硅石玻璃坩堝的方法[534-0017-0015] 硅錠塊生長裝置[534-0084-0016] 一種晶體生長的坩堝安置法[534-0054-0017] 一種高鉻超純鐵素體不銹鋼真空感應(yīng)冶煉方法[534-0025-0018] 陶瓷釉用耐高溫硫硒化鎘大紅色料及其制造方法[534-0070-0019] 金屬線材單晶化方法與設(shè)備[534-0102-0020] 玻璃提純的方法和設(shè)備[534-0046-0021] 一種石墨坩堝具高溫復(fù)合阻碳涂層[534-0045-0022] 一種提高直拉硅單晶棒中氧含量的方法及增氧器[534-0003-0023] 蒸鍍用坩堝[534-0004-0024] 用涂有非晶玻璃釉的金屬鋼管內(nèi)加熱器融化工業(yè)純鋅的方法[534-0095-0025] 表面改性的石英玻璃坩堝及其改性方法[534-0122-0026] 鎂合金鋯化合物除硅熔劑及其生產(chǎn)方法[534-0162-0027] 氧化物粉末焙燒裝置[534-0085-0028] 摻鐿釔鋁石榴石晶體的退火方法[534-0148-0029] 石英玻璃物質(zhì)的增強(qiáng)方法及增強(qiáng)的石英玻璃坩堝[534-0080-0030] 制造高摻雜硅單晶的方法[534-0159-0031] 一種板式鉑金攪拌器[534-0048-0032] 單晶制造方法[534-0088-0033] 一種粗金提純的方法[534-0049-0034] 高導(dǎo)磁鍍硅硅鋼片的制作方法[534-0039-0035] 硅酸鎵鑭晶體的坩堝下降法生長技術(shù)[534-0022-0036] 棒狀多晶GaN及其二步制備方法[534-0081-0037] 具有過熱性質(zhì)種膜作籽晶液相外延生長超導(dǎo)厚膜材料[534-0072-0038] 鍺酸鎵鍶壓電晶體的坩堝下降法生長方法[534-0144-0039] 一種定向凝固法制備鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛壓電陶瓷技術(shù)[534-0096-0040] 晶態(tài)電致發(fā)光材料及其制備方法[534-0127-0041] 加熱坩堝和采用此加熱坩堝的沉積裝置[534-0145-0042] 邊緣限定硅膜生長工藝的晶體生長設(shè)備與方法[534-0132-0043] 生長球冠形異型晶體用組合式坩堝[534-0001-0044] 工業(yè)離心機(jī)深床過濾鋁熔體中夾雜物的設(shè)備[534-0059-0045] 用旋轉(zhuǎn)坩鍋與熔鹽提拉法相結(jié)合的方法生長RE# [3 ]:KGd(WO#-...[534-0062-0046] 紅色長余輝材料的制備方法[534-0165-0047] 多用途夾持鉗[534-0170-0048] 可傾式節(jié)能電阻熔煉爐[534-0031-0049] 多風(fēng)道消煙坩堝窯爐的砌筑方法[534-0108-0050] 高熔點觸變金屬坯料及復(fù)合材料間歇制備工藝及設(shè)備[534-0043-0051] 氫氣氛中使用感應(yīng)加熱鉬坩堝提拉法生長藍(lán)寶石晶體[534-0140-0052] 覆蓋電子元件的保護(hù)膜的形成方法及有保護(hù)膜的電子儀器[534-0024-0053] 一種熔體近快速凝固方法及專用設(shè)備[534-0128-0054] LaNi#-[5]基無鈷貯氫合金電極材料及其制備方法[534-0150-0055] 石英玻璃的構(gòu)造元件及其制造方法[534-0041-0056] 薄膜沉積用分子束源裝置和分子束沉積薄膜的方法[534-0071-0057] 鎂合金壓鑄機(jī)熔爐結(jié)構(gòu)[534-0034-0058] 熔融金屬處理爐[534-0135-0059] 大面積晶體的溫梯法生長裝置及其生長晶體的方法[534-0120-0060] ZnAl#-[2]O#-[4]/α-Al#-[2]O#-[3]復(fù)合襯底材...[534-0121-0061] γ-LiAlO#-[2]/α-Al#-[2]O#-[3]復(fù)合襯底材料的制...[534-0115-0062] 碳硫坩堝免預(yù)處理技術(shù)包裝工藝[534-0133-0063] 煤質(zhì)工業(yè)分析綜合測定方法及其分析儀[534-0086-0064] 合金快冷厚帶設(shè)備和采用該設(shè)備的制備方法及其產(chǎn)品[534-0064-0065] 真空感應(yīng)熔煉Ti-Ni及Ti-Ni-Nb形狀記憶合金的工藝[534-0087-0066] 低熔點熔體作密封物質(zhì)防止氧化鉛揮發(fā)的方法[534-0014-0067] 雙流向玻璃坩堝爐[534-0103-0068] 工業(yè)分析儀試樣保溫干燥方法及裝置[534-0057-0069] 一種Ti#-[3]AlC#-[2]復(fù)合材料增強(qiáng)劑的制備方法[534-0107-0070] 用于拉晶裝置的熱屏蔽組件[534-0118-0071] 高鋅鋁稀土鎂合金[534-0129-0072] 金屬間化合物[534-0100-0073] 一種高強(qiáng)度高耐磨鎳基合金的制備方法[534-0011-0074] 碳化硅晶體生長的方法和裝置[534-0106-0075] 用廢玻璃生產(chǎn)玻璃纖維紗的方法[534-0036-0076] 坩堝下降法生長高居里點鈮銦酸鉛-鈦酸鉛單晶[534-0158-0077] 一種空心陰極放電離子鍍刀具裝置[534-0147-0078] 有機(jī)薄膜形成設(shè)備用加熱坩堝[534-0101-0079] 一種耐高溫耐磨損高強(qiáng)度合金的制備方法[534-0005-0080] 鎂、鋁合金反重力真空消失模鑄造方法及其設(shè)備[534-0142-0081] 稀土超磁致伸縮材料一步法制備工藝及設(shè)備和制備的產(chǎn)品[534-0109-0082] 一種鎂錳中間合金及其制備方法[534-0156-0083] 硅酸鉀電熔池爐[534-0019-0084] 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