NP法是日本佳能公司發(fā)明的一種新的靜電復(fù)印方法，這種方法有別于傳統(tǒng)的卡爾遜靜電復(fù)印法，它是卡爾遜靜電復(fù)印法的改進(jìn)和發(fā)展。NP靜電復(fù)印法基本過程它主要由前消電/前曝光、一次充電（主充電）、二次充電/圖像曝光、全面曝光、顯影、轉(zhuǎn)印、分離、定影、鼓清潔9個(gè)基本步驟組成。 從上述步驟我們可以看到，NP法的靜電復(fù)印過比典型的卡爾遜法靜電復(fù)印過程復(fù)雜，其主要原因是NP法采用的光電導(dǎo)材料雖然光敏性很好，但暗阻率太低，充電以后暗衰太快，不能像硒等基它光電導(dǎo)材料那樣能長時(shí)間地保存電荷。因此使用硫化鎘等基它光電導(dǎo)材料那樣能長時(shí)間地保存電荷。因此使用硫化鎘光電導(dǎo)材料的感光鼓結(jié)也與典型卡爾遜法的感光鼓結(jié)構(gòu)不同。 卡爾遜靜電復(fù)印法的感光鼓一般是兩層結(jié)構(gòu)，即光電導(dǎo)層和導(dǎo)電基本。 而NP法的感光鼓則是由透明的絕緣層、光導(dǎo)層和導(dǎo)電基本三層構(gòu)成。 NP法靜電復(fù)印的過程除了靜潛像的形成和顯影過程外，基它都與卡爾遜法靜電復(fù)印過程基本相同。NP法靜電潛像的形成包括前消電/前曝光、一次充電、二次充電/圖像曝光和全面曝光4個(gè)基本步驟。 1、前消電/前曝光 前消電/前曝光的過程是在第一次充電（主充電）前用負(fù)高壓電暈放電來消除感光鼓表面由于前一次復(fù)印循環(huán)遺留的殘余電荷，同時(shí)用熒光燈（前曝光燈）充分照射感光鼓（稱為前曝光），以降低硫化鎘光導(dǎo)層內(nèi)部的電阻。前曝光的作用，一方面是使光導(dǎo)層的殘余電荷可以充分泄入大地，另一方面則是為以后再對(duì)感光鼓進(jìn)行主充電時(shí)，能夠均勻地注入一定數(shù)量和極性的電荷提供條件，以防止由于靜電潛像電荷分布不良造成復(fù)印濃度不均和黑實(shí)心圖像中出現(xiàn)白色斑點(diǎn)的現(xiàn)象。NP法采用硫化鎘分散體作為光電導(dǎo)層，這種材料在暗處放置一段時(shí)間后電阻率會(huì)大大增加，如果在這種情況下進(jìn)行復(fù)印品產(chǎn)生底灰，甚至使得整個(gè)畫面發(fā)黑。經(jīng)過前消電/前曝光這一過程后，由于負(fù)高壓電暈放電的影響，會(huì)使感光鼓表面略呈負(fù)電位。 2、一次充電 NP靜電復(fù)印法通過在一次充電電暈器上加正極性直流高壓進(jìn)行正電暈放電，使感光鼓表面均勻充上一層正電荷，即形成一次電位。 當(dāng)一次充電電暈器加上直流高壓后，電暈器開始放電，使得電暈絲周圍的空氣電離，正極性的離子在電場的作用下，向感光鼓表面的絕緣層運(yùn)動(dòng)，由于絕緣層不導(dǎo)電，起著阻擋層的作用，這樣電暈離子因不能穿過絕緣層而沉積在絕緣層表面，使絕緣表面均勻地充上一層正電荷。由于靜電感應(yīng)的作用，在接地的導(dǎo)電基體側(cè)感應(yīng)出等量的反極性電荷（負(fù)電荷），但因硫化鎘是N型半導(dǎo)體，主要載流子是負(fù)電荷（電子），同時(shí)由于經(jīng)過前曝光，光導(dǎo)層（硫化鎘）的阻值下降，使得這些感應(yīng)出的負(fù)電荷比較容易地注入到光導(dǎo)層，并在絕緣層表面正電荷的吸引下向表面正電荷方向遷移，最終到達(dá)光導(dǎo)層與絕緣層界面處，使硫化鎘膜層表面帶有與絕緣層表面相反的等量的負(fù)電荷，與表面正電荷相平衡，形成穩(wěn)定狀態(tài)。這樣，硫化鎘光導(dǎo)層表面就具有了一定的表面電位，從而在絕緣層表磯與導(dǎo)電基體間形成了一定的電位差，使感光鼓表面（即絕緣層面）具有一定的表面電位。隨著充電時(shí)間的增長，表面電荷越積越多，感光鼓表面電位也相應(yīng)升高。 3、二次充電/圖像曝光 二次充電/圖像曝光是一個(gè)過程的兩個(gè)方面。這一過程是利用交流電暈器或反極性直流電暈器對(duì)感光鼓表面充電電荷進(jìn)行消電的同時(shí)對(duì)感光鼓進(jìn)行圖像曝光的。二次充電的作用是中和絕緣層表面的正電荷；圖像曝光則是為了在消電過程中使絕緣層表面形成與原稿明暗相對(duì)應(yīng)的靜電電荷分布。 當(dāng)原稿圖像被照射并通過光學(xué)系統(tǒng)投射到感光鼓表面時(shí)（即曝光），在感光鼓表面形成兩個(gè)區(qū)域：帶圖像的“暗區(qū)”和不帶圖像的“明區(qū)”。在明區(qū)，由于光照使光導(dǎo)層（硫化鎘）的電阻率大大降低，成為導(dǎo)體。原先駐留在光導(dǎo)層與絕緣層界面的負(fù)電荷（電子），隨著絕緣層表面的正電荷被二次負(fù)電暈中和的同時(shí)，通過光導(dǎo)層向接地的導(dǎo)電基體泄逸。因此，明區(qū)的表面電位迅速下降至0伏左右。在暗區(qū)，則由于光導(dǎo)層（硫化鎘）未受光照，基電阻率仍然很高（即保持絕緣狀態(tài)）使得駐留在光導(dǎo)層與絕緣層界面的負(fù)電荷不能向?qū)щ娀w方向泄逸。絕緣層表面正電荷受基影響，即由于絕緣層下面負(fù)性電荷的吸引，使得消電電暈只能中和掉一部分表面正電荷，大部分正電荷仍然保留在感光鼓暗區(qū)表面。此時(shí)，由于表面正電荷數(shù)量的減少 ，在絕緣層下面的負(fù)電荷多于絕緣層表面的下奄荷，因此在導(dǎo)電基體與光導(dǎo)層界面處又感應(yīng)出正電荷（導(dǎo)電基體側(cè)），基數(shù)量與表面正電荷減少的數(shù)量相等，以達(dá)到正負(fù)電荷量的平衡。雖然在感光鼓暗區(qū)仍保留有大部分表面電荷，但由于暗區(qū)仍保留大部分表面電荷，但由于暗區(qū)表面電位低于光導(dǎo)層的電位，因此仍未形成適用的靜電潛像。也就是說，二次充電/圖像曝光的結(jié)果，使得無論是在感光鼓的明區(qū)還是暗區(qū)，表面電位都已降為零電位，沒有形成電位反差。