特點MOCVD材料生長技術(shù)表面電流擴展能力強良好的波長和發(fā)光強度均勻性100%PLmapping測試特征尺寸■典型外延片尺寸為2 ■外延片厚度：360 30 m/270 30 m可選擇結(jié)構(gòu)■n-GaAs襯底■AlGaInP多量子阱和DBR■表層：基于GaP的獨特結(jié)構(gòu)說明：*某些參數(shù)，如主波長，可以根據(jù)用戶需求調(diào)整；**發(fā)光強度是華光光電利用外延片制作的9 9mil裸管芯測試結(jié)果，具體的電學(xué)、電光學(xué)、電光學(xué)性能與管芯制作工藝密切相關(guān)。 聯(lián)系人：常先生：18653609063崔先生：18653609083肖小姐：18653609082宋小姐：18653609061