內(nèi)存條種類之間的區(qū)別 DDR2與DDR的區(qū)別 與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以提供相當于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現(xiàn)的。作為對比，在每個設備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個DRAM核心。技術(shù)上講，DDR2內(nèi)存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù)。 與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合，DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。 然而，盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內(nèi)存為184針；其次，DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。