紅外熱分析顯微鏡技術(shù)參數(shù)_Optotherm IS640鎖相熱成像-立特為智能電話：l52l9504346 （溫先生）

關(guān)鍵詞： ?Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1.?它的應(yīng)用非常廣泛，去封裝的芯片分析，未去封裝的芯片分析，電容，F(xiàn)PC,甚至小尺寸的電路板分析（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在對樣品的不同階段都可以使用thermal技術(shù)進(jìn)行分析，如下圖示例，樣品電路板漏電定位到某QFN封裝器件漏電，將該器件拆下后發(fā)現(xiàn)漏電改善，對該器件焊引線出來，未開封定位為某引腳，開封后扎針上電再做分析，進(jìn)一步確認(rèn)為晶圓某引線位置漏電導(dǎo)致，如有需要可接著做SEM,FIB等分析。

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未開封器件分析

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開封器件分析

2. 它能偵測的半導(dǎo)體缺陷也非常廣泛，微安級(jí)漏電，低阻抗短路，ES擊傷，閂鎖效應(yīng)點(diǎn)，金屬層底部短路等等，而電容的漏電和短路點(diǎn)定位，F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏電，微短路等也能夠精確定位

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lock-in鎖相分析

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開封芯片漏電分析

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GAN-SIC器件

3，它是無損分析：作為日常的失效分析，往往樣品量稀少，這就要求失效分析技術(shù)最好是無損的，而對于某些例如陶瓷電容和FPC的缺陷，雖然電測能測出存在缺陷，但是對具體缺陷位置，市場上的無損分析如XRAY或超聲波，卻很難進(jìn)行定位，只能通過對樣品進(jìn)行破壞性切片分析，且只能隨機(jī)挑選位置，而通過Thermal 技術(shù)，你需要的只是給樣品上電，就可以對上述兩種缺陷進(jìn)行定位

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FPC缺陷分析

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電容缺陷分析

4,鎖相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用鎖相技術(shù)，將溫度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以偵測uA級(jí)漏電流和微短路缺陷，遠(yuǎn)由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點(diǎn)偵測法（0.1℃分辨率，mA級(jí)漏電流熱點(diǎn)）

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5，系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布，提供了一種快速探測熱點(diǎn)和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示出缺陷的位置，在半導(dǎo)體領(lǐng)域

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在集成電路操作期間，內(nèi)部結(jié)自加熱導(dǎo)致接合處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接合處本身，并且熱從接合部向外傳導(dǎo)到封裝中。因此，器件操作期間的精確結(jié)溫測量是熱表征的組成部分。

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芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料，分層或空隙等原因引起的。Sentris熱分析工具（如 圖像序列分析）可用于評(píng)估樣品由內(nèi)到外的熱量傳遞過程，以便確定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)作為一臺(tái)專業(yè)為缺陷定位的系統(tǒng)，專為電子產(chǎn)品FA設(shè)計(jì)，通過特別的LOCK-IN技術(shù)，使用LWIR鏡頭，仍能將將溫度分辨率提升到0.001℃（1mK），同時(shí)光學(xué)分辨率最高達(dá)到5um,尤其其軟件系統(tǒng)經(jīng)過多年的優(yōu)化，具有非常易用和實(shí)用，以下是OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)分析過程的說明視頻

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited?‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作為Optotherm公司中國代表（獨(dú)家代理），在深圳設(shè)立optotherm紅外熱分析應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，負(fù)責(zé)該設(shè)備的演示和銷售，如有相關(guān)應(yīng)用，可提供免費(fèi)評(píng)估測試服務(wù)。

深圳市立特為智能有限公司LEADERWE立為包括立為智能國際有限公司和深圳市立特為智能有限公司，是一家專業(yè)提供電子、材料等領(lǐng)域分析及檢測設(shè)備的綜合服務(wù)供應(yīng)商！

LEADERWE 立為擁有一批有著豐富經(jīng)驗(yàn)的銷售人員以及專業(yè)的服務(wù)人員，不僅為您提供高端實(shí)用的設(shè)備，更能為您完整的方案及相應(yīng)的應(yīng)用技術(shù)支持。

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中國主要辦事處：深圳、香港、合肥。

深圳市立特為智能有限公司

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熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)(Thermal Emission microscopy system)，是半導(dǎo)體失效分析和缺陷定位的常用的三大手段之一（EMMI,THERMAL,OBIRCH）,是通過接收故障點(diǎn)產(chǎn)生的熱輻射異常來定位故障點(diǎn)(熱點(diǎn)/Hot Spot)位置。

而OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng),標(biāo)配LOCK IN THERMOGRAPHY鎖相熱成像技術(shù)，將鎖相技術(shù)和熱成像技術(shù)有機(jī)結(jié)合，獲得超過1mk以上的溫度分辨率，對uA級(jí)漏電流或微短路等導(dǎo)致的缺陷，提供了非常好的解決方案。

Thermal EMMI 在電子及半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用，行業(yè)專家一刀博士有生動(dòng)的描述，thermal 的應(yīng)用
1. 它的應(yīng)用非常廣泛，去封裝的芯片分析，未去封裝的芯片分析，電容，F(xiàn)PC,甚至小尺寸的電路板分析（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在對樣品的不同階段都可以使用thermal技術(shù)進(jìn)行分析，如下圖示例，樣品電路板漏電定位到某QFN封裝器件漏電，將該器件拆下后發(fā)現(xiàn)漏電改善，對該器件焊引線出來，未開封定位為某引腳，開封后扎針上電再做分析，進(jìn)一步確認(rèn)為晶圓某引線位置漏電導(dǎo)致，如有需要可接著做SEM,FIB等分析。
2. 它能偵測的半導(dǎo)體缺陷也非常廣泛，微安級(jí)漏電，低阻抗短路，ES擊傷，閂鎖效應(yīng)點(diǎn)，金屬層底部短路等等，而電容的漏電和短路點(diǎn)定位，F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏電，微短路等也能夠精確定位
3，它是無損分析：作為日常的失效分析，往往樣品量稀少，這就要求失效分析技術(shù)最好是無損的，而對于某些例如陶瓷電容和FPC的缺陷，雖然電測能測出存在缺陷，但是對具體缺陷位置，市場上的無損分析如XRAY或超聲波，卻很難進(jìn)行定位，只能通過對樣品進(jìn)行破壞性切片分析，且只能隨機(jī)挑選位置，而通過Thermal 技術(shù)，你需要的只是給樣品上電，就可以對上述兩種缺陷進(jìn)行定位
4,鎖相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用鎖相技術(shù)，將溫度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以偵測uA級(jí)漏電流和微短路缺陷，遠(yuǎn)由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點(diǎn)偵測法（0.1℃分辨率，mA級(jí)漏電流熱點(diǎn)）
5，系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布，提供了一種快速探測熱點(diǎn)和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示出缺陷的位置，在半導(dǎo)體領(lǐng)域

紅外熱分析顯微鏡技術(shù)參數(shù)_Optotherm IS640鎖相熱成像-立特為智能個(gè)應(yīng)用是監(jiān)測整個(gè)傳送帶烤箱烘烤帶的溫度一致性。如果電烤箱內(nèi)部的加熱元件發(fā)生故障，或整個(gè)氣體射流沖擊烤箱受熱不均，產(chǎn)品流一側(cè)的溫度可能會(huì)降低。使用紅外熱像儀可迅速，紅外熱分析顯微鏡技術(shù)參數(shù)_Optotherm IS640鎖相熱成像-立特為智能整性。3、壞點(diǎn)的分類·靜態(tài)壞點(diǎn)亮點(diǎn)：一般來說像素點(diǎn)的亮度值是正比于入射光的，而亮點(diǎn)的亮度值明顯大于入射光乘以相應(yīng)比例，并且隨著曝光時(shí)間的增加，該點(diǎn)的亮度會(huì)顯著增，紅外熱分析顯微鏡技術(shù)參數(shù)_Optotherm IS640鎖相熱成像-立特為智能像儀，研發(fā)人員可大幅提高散熱設(shè)計(jì)各個(gè)環(huán)節(jié)的工作效率。一、快速評(píng)估熱負(fù)載紅外熱像儀可對產(chǎn)品溫度分布直觀成像，幫助研發(fā)人員精準(zhǔn)評(píng)估熱分布，定位熱負(fù)荷過大區(qū)域，讓后續(xù)，紅外熱分析顯微鏡技術(shù)參數(shù)_Optotherm IS640鎖相熱成像-立特為智能，并且校正的壞點(diǎn)個(gè)數(shù)不受限制。動(dòng)態(tài)壞點(diǎn)校正相對靜態(tài)壞點(diǎn)校正具有更大的不確定性。動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)處理中心可以分為兩個(gè)步驟，分別為壞點(diǎn)檢測和壞點(diǎn)校正。紅外熱像儀測溫受環(huán)境因。