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352PEA21T1NNNA4 Moore 352

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品 牌: Moore 
型 號: 352PEA21T1NNNA4 Moore 352 
規(guī) 格: 352PEA21T1NNNA4 Moore 352 
單 價: 6754.00元/個 
起 訂: 1 個 
供貨總量: 2 個
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 福建 廈門市
有效期至: 長期有效
更新日期: 2014-08-07 11:39
瀏覽次數(shù): 8
詢價
公司基本資料信息
 
 
 
【352PEA21T1NNNA4 Moore 352】詳細說明
?352PEA21T1NNNA4 ?Moore 352

>>廈門興銳達自動化設備有限公司
>> 聯(lián)系人: 顏工
>> 電話: 0592-2350134
>>400-787970-032
>> 聯(lián)系手機:18106937719
>> 傳真:0592-5580710
>> E-mail:2990820635@qq.com
>> QQ:894704814,2990820635
產(chǎn)品特點
?降低通態(tài)電阻70%(注3),達到業(yè)內(nèi)最高水平的低損耗。
?結合最新降低開關損耗的技術,使元器件總損耗降低14%(注4)。

3. 352PEA21T1NNNA4 ?Moore 352?主要規(guī)格(代表機型)

額定電壓(V)

額定電流(A)

通態(tài)電阻(Ω)

封裝

上市時期

600V

20A

0.19

TO-220F,TO-22O
TO-3P,TO-247

即日

30A

0.125

2012年 4月

47A

0.07

TO-3P,TO-247

2012年 4月

68A

0.04

TO-247

2012年 4月


4.主要用途
?服務器、不間斷電源、播放設備等信息通信設備;
?面向太陽能電力調(diào)節(jié)器等新能源領域的電力變換裝置等。


注1 MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應管。

注2 SJ結構:電荷非平衡Superjunction結構
其特點是,由于是使MOSFET的耐壓層的p區(qū)和n區(qū)交互存在的結構,可使n區(qū)的雜質濃度提高,所以可大幅度降低阻值。
以往面狀結構的MOSFET,由于是通過向高阻抗的n層延展電絕緣區(qū)(過流層)來確保耐壓水平的,因此通態(tài)電阻無法降至一定值以下。
而SJ結構, 352PEA21T1NNNA4 ?Moore 352?是通過在n區(qū)形成p區(qū),這既可以在縱向又可在橫向延展過流層,因此,即使n層阻抗下降,依然可以確保耐壓水平。據(jù)此,可實現(xiàn)超過以往面狀結構理論極限的低通態(tài)電阻。
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