描述通道數:1隔離電壓:5kV輸出類型:Transistor輸入電流:50mAOptoCaseStyle:DIP針腳數:4SVHC(高度關注物質):NoSVHC上升時間:18 s下降時間:18 s光電耦合器類型:TransistorOutput功耗:200mW外寬:6.5mm外部深度:4.58mm外部長度/高度:3.5mm封裝類型:DIP-4工作溫度最低:-30 C工作溫度最高:100 C工作溫度范圍:-30 Cto+100 C引腳節(jié)距:2.54mm批準機構:UL批準類型:ULRecognised排距:7.62mm最大正向電流,If:50mA電壓,Vceo:80V電流,Ic最大:8mA電流,Ic最小值:4mA輸出電壓最大:80V電流傳遞率(CTR)最小值:80%電流傳遞率(CTR),最大值:160%